SDRAM

SDRAM (engl. Synchronous dynamic random-access memory) on DRAM-muistityyppi, joka esiteltiin esiteltiin 1990-luvun puolivälissä.^[1] SDRAM on synkronoitu tietokoneen suorittimen käyttämään kellotaajuuteen, jolla pyritään maksimoimaan suorittimen antamien käskyjen määrä aikajaksoa kohden.^[2]

SDRAM esiteltiin vuonna 1996-1997 ja yleistyi nopeasti korvaten aiemmat DRAM-tyypit. Aiemmat muistityypit toimivat asynkronisesti yksi operaatio kerrallaan. SDRAM lisäsi sisäisen jonon toimintoja varten. Myöhemmin SDRAMin korvasi DDR SDRAM.^[3]

SDRAM käyttää muistiväylän kellosignaalia synkronoimaan luku- ja kirjoitussignaalit muistipiireille. SDRAM jakaa muistin parilliseen määrään rivejä, jolloin suurempi osa muistista on rinnakkain käsiteltävissä lomittain. SDRAMin mukana tuli mahdollisuus käyttää rekisteröityä muistia, jolloin piirisarja käyttää muistimoduulilla olevaa rekisteriä läpikirjoituspuskurina eikä piirisarjan tarvitse ohjata jokaista muistipiiriä suoraan.^[4]

CAS-latenssilla (engl. Column Access Strobe Latency) tarkoittaa viivettä muistirivin aktivoimisesta luku- tai kirjoitusoperaation alkamiseen. Aktivoidulla rivillä seuraavien sarakkeiden luku on nopeampaa ilman uutta aktivointia välissä, josta johtuen muistille kerrotaan seuraavien toimintojen viiveet. Viiveiden ilmoittamiseen käytetään kellojaksojen määrää.^[5]

SDRAM vaatii samalla tavalla virkistämistä kuin tavallinenkin DRAM. SDRAM on edeltäjistään poiketen synkronoitu kellosignaaliin, mikä mahdollistaa muistiväylän paremman liukuhihnoittamisen ja siten nopeamman peräkkäisen datansiirron. Hakuaikaa SDRAM ei kuitenkaan paranna, vaan saattaa jopa hiukan huonontaa (koska pitää aina odottaa kellonreunaa ennen kuin muistille voi antaa komentoja). SDRAM pystyy antamaan peräkkäistä dataa ulos peräkkäisinä kellojaksoina. SDRAM-muistien hakuaika ilmoitetaan kellojaksolukemina, eli paljonko aikaa kuluu signaalin jälkeen ennen kuin piiri antaa dataa, tai piirille voidaan antaa seuraava ohjaussignaali.

SDRAM-muisteja on valmistettu noin 66–200 MHz kellotaajuudella, tosin koneiden keskusmuisteiksi vain 66, 100 ja 133 MHz -standardeilla (alkuperäinen, PC100 ja PC133). Nopeammat ovat olleet erikoismuisteja näytönohjaimiin. Monet muistit pystyivät pienemmällä kellojaksolla toimiessaan pienempiin viiveisiin, muistin CAS-hakuaika 133 MHz:lla saattoi olla 3 kellojaksoa eli 22 ns, mutta 100 MHz:lla 2 kellojaksoa eli 20 ns.

Tähän artikkeliin ei ole merkitty lähteitä, joten tiedot kannattaa tarkistaa muista tietolähteistä. Voit auttaa Wikipediaa lisäämällä artikkeliin tarkistettavissa olevia lähteitä ja merkitsemällä ne ohjeen mukaan. Tarkennus: Tästä artikkelista puuttuvat lähteet, tekstin tieto on tarkistamatonta ja tieto saattaa olla vanhentunutta.

Tätä artikkelia tai sen osaa on pyydetty päivitettäväksi, koska sen sisältö on osin vanhentunut. Voit auttaa Wikipediaa parantamalla artikkelia. Lisää tietoa saattaa olla keskustelusivulla. Tarkennus: Tekstin tieto on tarkistamatonta ja tieto saattaa olla vanhentunutta.

SLDRAM (engl. Synchronous Link DRAM) oli ehdotettu parannus SDRAM-muistiin, joka kilpaili Rambusin RDRAMin kanssa. SLDRAM käytti multipleksattua väylää tiedon siirtämiseen sen sijaan että pinnit olisi ennalta varattuja.^[6]

SLDRAM oli suorituskykyisempi kuin Rambusin RDRAM. SLDRAM:n kehitti 1990-luvulla SLDRAM Consortium (myöhemmin SLDRAM Inc ja Advanced Memory International), joka koostui noin 20 DRAM ja komponenttivalmistajan ryhmästä, joiden tavoitteena oli suunnitella suuren muistikapasiteetin omaava DRAM-piiri mahdollisimman halvalla. Avoimen standardin ansiosta SLDRAM oli halvempaa ja ei vaatinut lisenssimaksuja.

SLDRAM-piirin suunnittelussa hyödynnettiin osaksi vanhaa RAM-teknologiaa, joten sen tuomat uudistukset muistipiireihin eivät olleet aivan niin radikaaleja kuin RDRAM:n. SLDRAM pystyy operoimaan nopeammalla 200 MHz:n väylällä kuin perus-SDRAM. Kuten DDR-SDRAM, tämäkin muisti siirtää kahdesti kellojaksoa kohden. Spesifikaatio vaatii 64-bittistä väylää, joka toimii 200 MHz, 300 MHz tai 400 MHz kellotaajuudella ja tehollinen nopeus on 400 Mt/s, 600 Mt/s tai 800 Mt/s.

Merkittävä puute spesifikaatiosta oli yksittäisten tavujen kirjoituksen puute, koska muisti oli suunniteltu järjestelmiin, joissa on väli- ja ECC-muistia (virhekorjaavaa muistia), jotka kirjoittavat aina välimuistirivin moninkertaisena.

Verrattaessa RDRAM:iin SLDRAM:lla oli monia etuja. Kellotaajuuden ollessa pienempi kuin RDRAM:lla häiriöiden merkitys tuli pienemmäksi ja lisäksi sen viive saatiin pienemmäksi.

• SGRAM
• GDDR SDRAM
• LPDDR