| dbo:abstract
|
- A Schottky barrier, named after Walter H. Schottky, is a potential energy barrier for electrons formed at a metal–semiconductor junction. Schottky barriers have rectifying characteristics, suitable for use as a diode. One of the primary characteristics of a Schottky barrier is the Schottky barrier height, denoted by ΦB (see figure). The value of ΦB depends on the combination of metal and semiconductor. Not all metal–semiconductor junctions form a rectifying Schottky barrier; a metal–semiconductor junction that conducts current in both directions without rectification, perhaps due to its Schottky barrier being too low, is called an ohmic contact. (en)
- Penghalang Schottky, dinamai dari penemunya Walter H. Schottky, adalah sebuah penghalang potensial yang terbentuk pada pertemuan logam-semikonduktor yang mempunyai karakteristik penyearahan, cocok untuk penggunaan sebagai diode. Perbedaan paling nyata antara penghalang Schottky dengan sambungan p-n adalah tegangan pertemuannya yang biasanya lebih rendah dan pengurangan lebar pemiskinan pada logam.Tidak semua pertemuan logam-semikonduktor membentuk penghalang Schottky. Semua pertemuan logam-semikonduktor yang tidak menyearahkan arus dinamakan sambungan ohmik. Karakteristik penyearahan bergantung pada fungsi kerja logam, renggang jalur pada semikonduktor intrinsik, jenis dan konsentrasi pengotor pada semikonduktor dan faktor-faktor lainnya. Desain dari peranti semikonduktor membutuhkan keakraban dengan efek Schottky untuk meyakinkan bahwa penghalang Schottky tidak terbentuk dengan tak disengaja ketika diinginkan sambungan ohmik. (in)
- Una barriera Schottky, dal nome del fisico tedesco Walter Schottky, è una barriera di potenziale formata da una giunzione metallo-semiconduttore che possiede caratteristiche rettificanti, adatta ad essere usata come diodo. Le maggiori differenze fra una barriera Schottky e una giunzione p-n sono la sua bassa tensione di giunzione e la sua piccola (quasi inesistente) larghezza della regione di carica spaziale nel metallo. Non tutte le giunzioni metallo-semiconduttore formano barriere Schottky. Una giunzione metallo-semiconduttore che non rettifica una corrente viene chiamato contatto ohmico. Le proprietà rettificanti dipendono dal lavoro di estrazione del metallo, dalla banda proibita, dal tipo e dalla concentrazione dei drogaggi nel semiconduttore e da altri fattori. La progettazione di dispositivi semiconduttori richiede una certa familiarità con l'effetto Schottky per assicurarsi di non andare a formare accidentalmente barriere Schottky laddove è invece voluto un contatto ohmico. (it)
- 쇼트키 접합은 가 설명한 금속과 반도체의 접합이다. 쇼트키 장벽(Schottky barrier)이라는 위치 에너지 장벽이 발생한다. (ko)
- ショットキー接合（ショットキーせつごう、英: Schottky barrier junction）は、を示す金属-半導体接合のことである。名称は発見者のヴァルター・ショットキーによる。 同様に整流作用を示すPN接合と比較すると、PN接合では電流の輸送が主に少数キャリアで行われるのに対し、ショットキー接合では、多数キャリアで行われるため、高速動作に優れるという利点がある。 PN接合に対してMS接合と呼ぶこともある。 (ja)
- Барье́р Шо́ттки или Шо́тки, (англ. Schottky barrier) — потенциальный барьер, появляющийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом, равный разности работ выхода (энергий, затрачиваемых на удаление электрона из твёрдого тела или жидкости в вакуум) металла и полупроводника: . (ru)
- 肖特基势垒（英語：Schottky barrier），是指具有整流特性的金属-半导体界面，就如同二极管具有整流特性。肖特基势垒（障壁）相較於PN接面最大的区别在於具有較低的，以及在金属端具有相當薄的(几乎不存在)耗尽层寬度。 並非所有的金属-半导体接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金属-半导体接面則稱為欧姆接触。整流属性決定於金属的功函、固有半导体的能隙，以及半导体的掺杂類型及浓度。在設計半导体器件時需要對肖特基效应相當熟悉，以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產生肖特基势垒。 肖特基势垒命名自德國物理學家華特·蕭特基（Walter Hermann Schottky）。 (zh)
|
| dbo:thumbnail
| |
| dbo:wikiPageID
| |
| dbo:wikiPageInterLanguageLink
| |
| dbo:wikiPageLength
|
- 17716 (xsd:nonNegativeInteger)
|
| dbo:wikiPageRevisionID
| |
| dbo:wikiPageWikiLink
| |
| dbp:caption
|
- Forward bias: thermally excited electrons are able to spill into the metal. (en)
- Reverse bias: The barrier is too high for thermally excited electrons to enter the conduction band from the metal. (en)
|
| dbp:image
|
- Schottky_barrier_forward_bias.svg (en)
- Schottky_barrier_reverse_bias.svg (en)
|
| dbp:wikiPageUsesTemplate
| |
| dct:subject
| |
| rdf:type
| |
| rdfs:comment
|
- 쇼트키 접합은 가 설명한 금속과 반도체의 접합이다. 쇼트키 장벽(Schottky barrier)이라는 위치 에너지 장벽이 발생한다. (ko)
- ショットキー接合（ショットキーせつごう、英: Schottky barrier junction）は、を示す金属-半導体接合のことである。名称は発見者のヴァルター・ショットキーによる。 同様に整流作用を示すPN接合と比較すると、PN接合では電流の輸送が主に少数キャリアで行われるのに対し、ショットキー接合では、多数キャリアで行われるため、高速動作に優れるという利点がある。 PN接合に対してMS接合と呼ぶこともある。 (ja)
- Барье́р Шо́ттки или Шо́тки, (англ. Schottky barrier) — потенциальный барьер, появляющийся в приконтактном слое полупроводника, граничащего с металлом, равный разности работ выхода (энергий, затрачиваемых на удаление электрона из твёрдого тела или жидкости в вакуум) металла и полупроводника: . (ru)
- 肖特基势垒（英語：Schottky barrier），是指具有整流特性的金属-半导体界面，就如同二极管具有整流特性。肖特基势垒（障壁）相較於PN接面最大的区别在於具有較低的，以及在金属端具有相當薄的(几乎不存在)耗尽层寬度。 並非所有的金属-半导体接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金属-半导体接面則稱為欧姆接触。整流属性決定於金属的功函、固有半导体的能隙，以及半导体的掺杂類型及浓度。在設計半导体器件時需要對肖特基效应相當熟悉，以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產生肖特基势垒。 肖特基势垒命名自德國物理學家華特·蕭特基（Walter Hermann Schottky）。 (zh)
- Penghalang Schottky, dinamai dari penemunya Walter H. Schottky, adalah sebuah penghalang potensial yang terbentuk pada pertemuan logam-semikonduktor yang mempunyai karakteristik penyearahan, cocok untuk penggunaan sebagai diode. Perbedaan paling nyata antara penghalang Schottky dengan sambungan p-n adalah tegangan pertemuannya yang biasanya lebih rendah dan pengurangan lebar pemiskinan pada logam.Tidak semua pertemuan logam-semikonduktor membentuk penghalang Schottky. Semua pertemuan logam-semikonduktor yang tidak menyearahkan arus dinamakan sambungan ohmik. Karakteristik penyearahan bergantung pada fungsi kerja logam, renggang jalur pada semikonduktor intrinsik, jenis dan konsentrasi pengotor pada semikonduktor dan faktor-faktor lainnya. Desain dari peranti semikonduktor membutuhkan keakr (in)
- A Schottky barrier, named after Walter H. Schottky, is a potential energy barrier for electrons formed at a metal–semiconductor junction. Schottky barriers have rectifying characteristics, suitable for use as a diode. One of the primary characteristics of a Schottky barrier is the Schottky barrier height, denoted by ΦB (see figure). The value of ΦB depends on the combination of metal and semiconductor. (en)
- Una barriera Schottky, dal nome del fisico tedesco Walter Schottky, è una barriera di potenziale formata da una giunzione metallo-semiconduttore che possiede caratteristiche rettificanti, adatta ad essere usata come diodo. Le maggiori differenze fra una barriera Schottky e una giunzione p-n sono la sua bassa tensione di giunzione e la sua piccola (quasi inesistente) larghezza della regione di carica spaziale nel metallo. (it)
|
| rdfs:label
|
- Barrera Schottky (ca)
- Sawar Schottky (in)
- Barriera Schottky (it)
- ショットキー接合 (ja)
- 쇼트키 접합 (ko)
- Schottky barrier (en)
- Барьер Шоттки (ru)
- 肖特基势垒 (zh)
|
| owl:sameAs
| |
| prov:wasDerivedFrom
| |
| foaf:depiction
| |
| foaf:isPrimaryTopicOf
| |
| is dbo:knownFor
of | |
| is dbo:wikiPageDisambiguates
of | |
| is dbo:wikiPageRedirects
of | |
| is dbo:wikiPageWikiLink
of | |
| is dbp:knownFor
of | |
| is foaf:primaryTopic
of | |
